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時(shí)間：2021/12/29 點(diǎn)擊量：147
IGBT產(chǎn)品
類(lèi)別型號(hào) Type | 集電極與發(fā)射極電壓 VCE | 芯片面積 Die Size | 集電極電流 IC | 最大脈沖集電極電流 ICM | 導(dǎo)通電阻 RON | 開(kāi)通上升時(shí)間 tr | 關(guān)斷下降時(shí)間 tf | 開(kāi)通延遲時(shí)間 td(on) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 td(off) | 柵極與發(fā)射極電壓 VGE |
(V) | (A) | (A) | (mΩ) | (ns) | (ns) | (ns) | (ns) | (V) | ||
SE-IGBT-50A12 | 1200 | 4.4×3.1mm | 50 | 140 | 50 | 22 | 19 | 31 | 22 | -5~20 |
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