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時(shí)間：2021/06/14 點(diǎn)擊量：209
MOSFET產(chǎn)品
類別型號(hào) Type | 漏源電壓 VDS | 芯片面積 Die Size | 最大漏源電流 ID | 最大脈沖漏源電流 IDM | 導(dǎo)通電阻 RON | 開通上升時(shí)間 tr | 關(guān)斷下降時(shí)間 tf | 開通延遲時(shí)間 td(on) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 td(off) | 柵源電壓 VGS |
(V) | (A) | (A) | (mΩ) | (ns) | (ns) | (ns) | (ns) | (V) | ||
SE-DM-50A12 | 1200 | 4.4×3.1mm | 50 | 140 | 50 | 22 | 19 | 31 | 22 | -5~20 |
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